英特磊F-IET(4971)採用MBE技術從事砷化鎵(GaAs)、銻化鎵(GaSb)、磷化銦(InP)化鎵等III-V族化合物半導體磊晶(Epi)的生產，具有基板到磊晶的垂直整合技術能力，提供無線通訊、衛星通訊、光纖通訊等商用，以及太空與國防紅外線感測等產品應用。客戶涵蓋美、日、韓及國內大廠，也與美國太空總署NASA合作，供應太空應用等級的銻化鎵磊晶。主要利基題材有：(1)大方配息：儘管去年每股獲利三．四九元較前年五．七四元衰退，主要受到業外CB可轉債評價帳列損失及CB利息攤銷費用等影響，若排除此項因素，營業利益則是大幅增加一．八四億元，年增六八％，創歷史新高。今年配發二元現金股利與○．五元股票股利，配發率逾七成，隨著CB於今年二月全數轉換完畢，不再衝擊盈餘，今年營運可望重返榮耀。(2)三月營收飆新高，連四個月成長：一、二、三月業績皆創歷年新高，三月更創歷年單月新高，第二季傳統旺季來臨，營運可望逐步增溫。(3)前景看俏：除了來自於砷化鎵pHEMT磊晶片用於汽車防撞雷達、磷化銦HBT磊晶片用於5G量測設備、磷化銦PIN及APD磊晶片用於高速光通訊應用(10G PON)等仍將是今年一大亮點，包括面射型雷射(VCSEL)磊晶產品應用於高端資料通訊，虛擬實境(VR)與肢體動作辨識之新應用，未來效益值得期待(基本面資料若有異動，仍須依據公開資訊觀測站最新訊息為主)。操作建議：策略低接不追高，守穩前低一二六．五元關卡不破，可隨時留意帶量轉強發動時機點，或可參見「財神系統」多空訊號進行短線價差操作，設好停損停利。
