瞄準5G、自駕車等高科技產業發展大趨勢，對於高頻率、低耗損材料的需求遽增，中美晶集團積極佈局半導體材料，日前宣布參與宏捷科私募現增案，配合旗下環球晶，整合上下游產業鏈，加速化合物半導體的研發。
中美晶在化合物半導體的佈局，包括三大主軸碳化矽(SiC)、碳化矽基氮化鎵(GaN on SiC)以及矽基氮化鎵(GaN on Si)。相較於氮化鎵，碳化矽更耐高溫、耐高壓，廣泛應用於更嚴苛環境，且成本與技術門檻較高、產品良率低待突破。
漢磊投控則透過集團內資源串連，加快化合物半導體產品發展，旗下嘉晶的四吋與六吋磊晶矽晶圓產能已獲認證並量產，漢磊科則提供SiC Diode、SiC MOSFET晶圓代工服務，預期明年可望發揮市場效益。晶圓代工產能方面，穩懋已開始提供六吋GaN-on-SiC晶圓代工服務，瞄準高功率PA與天線，環宇-KY則擁有四吋GaN-on-SiC高功率PA產能。世界先進也投資GaN材料，與設備材料廠Kyma及Qromis合作，開發八吋新基底高功率氮化鎵技術GaN-on-QST，初期瞄準電源市場。
半導體材料歷經三大發展階段，第一代是矽(Si)、鍺(Ge)等基礎功能材料，第二代開始進入化合物半導體材料，以砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)等代表，第三代則是氮化鎵(GaN)、碳化矽等寬頻化合物半導體材料，儼然半導體材料明日之星。
