全球最大記憶體廠三星電子（Samsung）17日宣佈大幅調高今年資本支出，其中9兆韓元（約79.65億美元）預算將用來投資記憶體，與今年初原本預估投入的5.5兆韓元相較，大幅增加了64％。三星新增資本支出的目的，是要興建生產DRAM及NAND快閃記憶體的新12吋廠Line-16，且月產能將達20萬片規模，同時也計畫將現有DRAM及NAND製程推進到30奈米以下。
外界認為，三星擴大記憶體產能的目的是針對台灣DRAM廠，但實際上並非如此，三星主要目的是要維持其在NAND市場的龍頭地位。事實上，日本東芝在日前已宣布將開始興建月產能超過21萬片的12吋NAND廠Fab5，總投資金額將超過6,000億日圓（約64億美元），若東芝明年第1季如期完工量產，市佔率將一舉超過三星。
另一個值得DRAM廠注意的地方，是歐盟擬對三星、英飛凌、海力士、爾必達等DRAM廠祭出反傾銷罰則，這是歐盟貿易委員會在2008年7月實施新和解程序以來首宗判罰案例，且根據歐盟的規劃，被起訴的公司將面臨全球營收總額一成的罰金，總金額最高達3億歐元。正因為歐美兩大市場對DRAM的反傾銷動作頻仍，因此，三星對於擴充DRAM產能的態度，就不若NAND來得積極。
所以，三星若要坐穩全球NAND龍頭寶座，勢必要與東芝進行產能競賽，因此才會決定擴增資本支出，興建月產能達20萬片的新晶圓廠Line-16。DRAM業內人士表示，三星未來兩年的投資及布局重點，明顯偏向NAND市場，DRAM因為龍頭地位已經穩固，30奈米製程微縮反而是重點，而這也讓台灣DRAM廠避開了與三星正面進行產能對決的風險，得以一步一腳印展開新的投資布局。
2008年第３季，由美國次級房貸市場衍生的金融風暴，讓百年老店雷曼兄弟宣布破產，隨後金融海嘯也席捲全球經濟，對市場供需最敏感的DRAM，成為半導體產業中最先受到衝擊的市場。當時隨著DRAM需求急凍，導致價格一路崩跌，德國DRAM廠奇夢達(Qimonda)先爆出財務危機，2008年12月，1GB DDR2顆粒價格跌到0.55美元的歷史低點。
對DRAM業者來說，0.55美元價格代表的意義，就是賣1顆要賠3顆，台灣DRAM廠當然也無法承受起如此可怕的燒錢速度，於是在去2009年1月，包括力晶(5346)、南科(2408)、茂德(5387)等國內DRAM廠，開始向政府提出紓困要求，而當月月底，奇夢達因無法獲得德國政府金援而宣布倒閉。
若打開全球DRAM產業這20餘年來的發展史，每6至8年一次的景氣大循環若要由谷底翻揚復甦，就是要有大廠退出，如1996年時有德儀(TI)的退出，2002年有東芝(Toshiba)的退出，而2009年則有奇夢達的退出等。台灣DRAM廠撐過了這次的景氣循環，隨著奇夢達倒閉後的DRAM價格大幅上漲，雖然這一年來歷經了痛苦的償債及減資等過程，在力晶及茂德相繼宣布單月轉虧為盈後，已確定能夠再度重回主流市場。
去年對台灣DRAM廠來說，是個倒吃甘蔗的一年。由於DRAM價格維持了長達1年的漲勢，讓力晶、茂德、南科等業者的自由現金流量在下半年陸續由負轉正，解除了開門營業即燒錢數億元的悲慘命運。
但是這一年當中，由聯電(2303)榮譽副董事長宣明智主導的台灣創新記憶體公司(TIMC)，雖已在去年底轟轟烈烈地宣布計畫終止，但卻讓原本由德、日、韓等三國勢力均分的台灣DRAM市場板塊，演變成由美、日兩國勢力相互抗衡的局面。其中台塑集團旗下的南科及華亞科(3474)，成為美國DRAM廠美光(Micron)的合作夥伴，其餘如力晶、茂德、華邦(2344)等業者，則與日本爾必達(Elpida)策略聯盟。
台灣DRAM廠形成美、日兩大陣營的大勢底定，代表的意義在於技術來源確立，所以，DRAM廠今(2010)年的重頭戲，就是如何將製程微縮到新世代，以降低單位產出成本。由於今年正好遇上了DRAM規格由DDR2轉向DDR3，製程微縮的速度，就代表著DRAM業者能否領先同業轉虧為盈。
以爾必達陣營來看，爾必達已將70奈米的微縮版65nm-XS移轉到台灣，爾必達子公司瑞晶因無舊設備轉換新製程的包袱，今年初已導入65nm-XS技術生產1GB DDR3顆粒，因此成為第1季台灣最賺錢的DRAM廠，首季賺進了40.81億元，每股淨利達1.39元。力晶因認列瑞晶獲利及本身70奈米製程良率較高，第1季賺進35.02億元，每股淨利為0.4元，是台灣第二家賺錢的DRAM廠。
力晶及茂德在第1季末已開始導入65nm-XS技術，預計第3季起採用新製程的1GB DDR3就可開始出貨，正好可以趕上下半年的電腦銷售旺季。由於兩家業者於2004年大幅投資興建的12吋廠折舊攤提已近尾聲，配合新製程的導入，單位成本大幅降至2美元以下，以目前DRAM價格平均介於2.5美元至3美元的區間來看，第2季要維持獲利基本上沒有太大問題。
反觀美光陣營的南科及華亞科，因為正處於將生產線由原本採用的奇夢達溝槽式技術，轉換成美光的堆疊式技術的過渡期，如華亞科今年每季度都得提列約3萬片閒置產能損失，所以第1季虧損在所難免。不過，因第2季後開始導入美光的50奈米製程，第3季後才能以50奈米取代現有75奈米製程的效應，因此，下半年就可看到明顯的營運獲利績效。
不論是仍虧損的南科及華亞科，或是已見到賺錢契機的力晶及茂德，現在的DRAM出貨量持續放大，產能利用率回升到滿載投片水準，自由現金流量又已全數轉正，代表台灣DRAM廠已由景氣谷底爬上來。由於台灣是全球擁有最大DRAM產能的地區，有8座正在量產中的12吋DRAM廠，占了全球DRAM總產能的4成強，隨著相關業者的營收持續攀高，這也說明了台灣DRAM廠已重新回到主流市場。
雖然台灣DRAM廠仍無自主技術，需要向爾必達或美光取得技轉及授權，但擁有產能仍等於在市場中占有一席之地，只是有了2008年至2009年的慘痛教訓及經驗後，台灣DRAM廠要與三星(Samsung)、海力士(Hynix)等韓系業者在市場中一較高下，比的就是誰最先將製程微縮到最先進的浸潤式(immersion)微影技術。
DRAM製程微縮到50奈米以下後，因為線寬線距較70奈米小了4成，現有的微影技術無法支援，只能導入浸潤式製程。若比較單位成本，50奈米生產的1GB DDR3的單位總成本約1.5美元至1.7美元，與70奈米生產的1GB DDR2總成本達2.2美元至2.8美元相較，將可降低3成至4成，所以DRAM廠要在這波景氣復甦期間賺到大錢，就得比同業更快導入新技術。
以華亞科來說，總經理高啟全表示，手中已取得了3台浸潤式機台，可以開始導入美光的50奈米製程，預計第一批2GB DDR3可在6月開始出貨，已預訂的4台浸潤式機台將在第3季下旬陸續到位，華亞科也將開始導入美光最先進的42奈米，只要能趕上在年底前投片，明年的單位成本就可明顯下降。
對爾必達陣營來說，力晶及瑞晶已取得浸潤式機台，其中瑞晶預計今年第3季就開始導入40奈米技術量產2GB DDR3顆粒，力晶及茂德則預計年底開始導入新技術量產。至於與爾必達同業簽約合作的華邦，第2季已開始合作生產65奈米的繪圖卡用GDDR5，預計明年也將與爾必達合作跨入40奈米世代。
但對DRAM廠來說，現在最大的生產瓶頸，就是浸潤式機台的供不應求。以全球最大的浸潤式設備供應商艾司摩爾(ASML)來說，因自有產能嚴重不足，現在設備交期拉長到10個月。但也因為如此，DRAM廠在製程轉進速度受限於機台取得時程，反而壓抑了全球DRAM廠的產能增加幅度，可以讓這波DRAM景氣走得更長。集邦科技表示，由於DRAM廠才剛由前兩年的大虧中走出來，資金動能明顯不足，浸潤式機台供給量有限，40奈米以下製程轉進難度也增高，所以預計2010年到2013年間，DRAM位元成長受到限制。
由於DRAM廠新蓋廠房需要2年時間才能量產，因此未來兩年內新增的產能，僅包括先前已蓋好新廠的三星可增加約4萬片產能，以及南科在現有廠房內增加的1.5萬片產能。也就是說，未來3年內，DRAM產能的增加，只能靠著製程微縮來增加產出量，只要市場需求維持如現在般穩定，DRAM價格應可維持在2美元以上，集邦科技預期DRAM業者可望連續3年維持獲利。
對台灣DRAM廠來說，因為擁有晶圓廠產能的保命符，才能安度這次金融海嘯衝擊，但受傷程度仍不輕，欠下的債務要多久才能還清，仍得視市場景氣變化而定。但有了這次的經驗，台灣DRAM廠未來幾年的策略規劃，已經把重心放在自有技術的研發上，也不會再盲目擴產，並了解到保留固定現金水位的重要性，如此一來，才能在下一波DRAM市場景氣衰退時，保留重新站起來的火種，不會走上奇夢達一樣被市場淘汰出局之路。
