旺宏(2337)總經理盧志遠6月24日為其自家3D NAND Flash新技術舉行發表會，原本預計1個半小時的活動，卻因技術出身兼博士學者背景的盧志遠談到這項技術的研發過程時，興致高昂欲罷不能，整整花了3個多小時說明。但當記者問其何時可量產時，盧志遠透露，最快也要至2014年以後，讓在場財經記者不知是該以利多訊息下筆，還是純以產業領先技術著墨。
繼21日爾必達社長?本幸雄、力成董事長蔡篤恭與聯電孫世偉宣布共同投入3D IC新製程技術TSV(直通矽晶穿孔Through-Silicon Via；TSV)後，24日專注於NAND Flash生產的旺宏也宣布3D新技術。
盧志遠表示，3D NAND Flash是採用75奈米BE-SONOS charge-trapping技術，通過組合8層結構單元，將每個單元記憶體(cell size)面積縮小至0.0014(um)2，為全球最小的3D VG NAND。且實驗顯示它除了沒有單元記憶體間垂直方向的相互干擾問題，同時具有良好讀取電流與多位元記憶能力。
擁有美國哥倫比亞大學物理博士學位的盧志遠對於新技術相當熱中，甚至怕記者不了解，整場記者會盧志遠幾乎是上了堂3D NAND Flash新技術的課程，因此前半段就花了近2個小時，原本預計1個半小時的活動，到下午4點多才進入問答時間。
盧志遠表示，這項新技術，等於退回至75奈米，讓電流量充裕下，利用新技術依舊達到微縮與效能提升雙重效益，這是3D堆疊技術帶來的創舉，預計至2014年產業界將大舉投入。
