商傳媒｜記者許方達／綜合報導
高頻寬記憶體(HBM)晶片三強鼎立的局面產生變局，綜合外媒報導，韓國三星電子自去年以來，持續努力通過輝達對其HBM3和HBM3E產品的測試，不過最後還是因為「散熱」卡關、被宣告出局。
針對此傳聞，輝達目前暫無置評，三星則回應媒體，「HBM是一款客製化記憶體，需要根據客戶需求進行優化流程」，並透露正在通過與客戶的密切合作來優化產品，拒絕對特定客戶發表評論。
HBM3和HBM3E是最新版本的高頻寬記憶體晶片，主要是與核心微處理器晶片結合使用，幫助處理生成式AI中的大量數據。根據知情人士透露，由於熱量和功耗等問題，在4月份左右，就已傳出三星8層與12層堆疊的HBM3e樣本沒過關。
消息更指出，三星未能滿足輝達達的要求，增加業界和投資人的擔憂，在這場爭食HBM大餅的競賽中，三星極有可能會進一步落後競爭對手SK海力士以及美光科技。
三星電子股價在24日盤中聞訊重挫超過2%，今年以來股價漲勢平平，而對手SK海力士則已飆漲40%左右，美光也暴增至少50%。
圖片來源：奇摩財經
根據研究機構TrendForce數據顯示，在AI相關需求火熱情況下，預計HBM晶片市場今年將增長超過一倍，達到將近90億美元。分析師指出，三星在本週大舉撤換半導體部門負責人，似乎正凸顯三星對於公司在HBM技術落後的擔憂，因此大刀闊斧尋找新高層來應對這次「危機」。
