三星電子(Samsung Electronics Co.)打算跟晶圓代工競爭對手台積電(2330)合作，一同開發次世代AI用高頻寬記憶體「HBM4」。
韓國經濟日報、BusinessKorea 5日報導，台積電生態與聯盟管理負責人Dan Kochpatcharin 5日在《SEMICON Taiwan 2024》表示，兩家企業正在共同研發一款無緩衝(bufferless)的HBM4晶片。他說，記憶體製程愈來愈複雜，跟夥伴的合作從未像現在如此重要。
高頻寬記憶體(HBM)是一種先進DRAM，處理速度比傳統記憶體更快，對AI發展至關重要。HBM4為第六代HBM，三星、SK海力士(SK Hynix Inc.)、美光(Micron Technology Inc.)等記憶體大廠最快明(2025)年就可量產，供應輝達(Nvidia Corp.)等AI晶片設計商。
分析人士表示，若三星、台積電決定共同研發無緩衝HBM4，將是兩家企業在AI晶片領域首次結盟。
消息指出，三星、台積電會先從第六代HBM4開始合作。三星計畫明年下半量產HBM4，並打算藉由雙方合作，為輝達、Google等客戶供應客製化晶片與服務。
消息顯示，三星打算提供一站式服務，從DRAM生產到邏輯晶粒(logic die)製造、先進封裝服務一氣呵成。不過，三星也考慮使用台積電的技術，因為有客戶偏好台積電生產的邏輯晶粒。
三星正在努力追趕HBM領導大廠SK海力士。根據集邦科技(TrendForce)統計，SK海力士的HBM市佔多達53%，三星則有35%。SK海力士早在4月就宣布要跟台積電合作生產HBM4晶片，預定2026年量產。
三星總裁暨記憶體事業部負責人Jung-bae Lee 4日在Semicon Taiwan 2024發表主題演說時曾表示，為了將AI晶片效能最大化，客製HBM是最佳選擇。他說，三星正在跟其他晶圓代工商合作，提供超過20個客製化解決方案。
Lee並在論壇的執行長峰會指出，三星的系統LSI與記憶體部門雖會負責晶片設計與製造，但該公司也會運用其他晶圓代工商的產能，將HBM效能拉高到極致。他指出，光靠傳統記憶體製程，對HBM效能的提升程度有限。
《原文來自:MoneyDJ》
