近期半導體產業雜音頻傳，加上評價修正劇烈的股價，幾乎快成為人人喊打的過街老鼠，此時外資與投信卻不約而同逆勢大舉搶進台股的記憶體族群。
市占率達24.4％的美廠威騰、美光，可能因為俄羅斯與烏克蘭的衝突導致斷料供給減少的風險，加上市場預期心理的提前囤貨行為，將進一步增強NAND Flash漲價效應。
斷料風險預期強化囤貨行為
一旦俄羅斯反制裁美國半導體廠製造所需的關鍵原料，美國半導體廠生產將會受阻。研調機構TrendForce指出，半導體廠或氣體供應廠皆備有庫存，且仍有其它地區供應的情況下，短期內雖不至於造成產線中斷影響產出，但氣體供應量減少將可能造成價格上漲，晶片生產成本可能因此上漲。當然最後就會推升包含NAND Flash的半導體產品報價。
除了NAND Flash外，DRAM也是可能面臨生產斷料的記憶體產品，美廠美光的DRAM產品去年第四季在全球市占率達22.3％，一旦俄羅斯出手反制裁，對DRAM產業供給將產生一定的衝擊。同樣可預期會出現市場預期心理的提前囤貨行為，有助改善DRAM產業的供需情況。
DRAM大廠早已嚴控供給
早在烏俄衝突前，合計市占率高達94.4％的三星、海力士及美光等全球三大DRAM廠，對供給就有踩煞車的動作，不管是產品線由DDR4轉換至DDR5，或是製程微縮至極紫外光(EUV)的1α奈米，轉換過程都會導致產出減少。廠商為了穩定產品報價以維持獲利，三大廠均預估今年DRAM供給位元成長率會降至20％以下。
至於需求面，今年蘋果將上市的iPhone 14 Pro 搭載的RAM 就傳出可能會由iPhone 13 Pro的六GB提升至八GB，新一代筆電搭載DRAM容量也拉高至三二GB，伺服器DRAM搭載容量則提升至六四GB或一二八GB。其他像是人工智慧(AI)、高速傳輸(HPC)、顯示卡、車用電子、工業自動化系統、5G基地台及高速網路基礎建設等，搭載DRAM平均容量也較去年倍增。DRAM廠普遍預估今年DRAM需求位元成長率機會趨於平衡。
現貨報價領先觸底反彈 外資唱衰雜音聽聽就好
市場原預期農曆年後DRAM需求將放緩，但實際上回補庫存買盤持續轉強，但三大DRAM廠第一季釋出至現貨市場的貨源卻持續減少，導致DRAM顆粒現貨價在去年十二月落底反彈後持續上漲。
外資摩根士丹利報告唱衰台灣DRAM廠，主要理由是中國競爭者長鑫存儲的十七奈米製程良率已達四○％，第二季將向客戶提供DDR4產品，且今年合肥廠的產能可能會擴大到八萬片，並在北京建新廠。另一個中國競爭者北京兆易創新也開始銷售一九奈米DRAM產品，由長鑫存儲代工。
相較台灣DRAM廠南亞科(2408)的二○奈米製程、力積電(6770)及華邦電(2344)的二五奈米製程，長鑫存儲的一七奈米製程應有更好的成本結構，新產能開出將對台廠帶來負面影響。但事實上因中國廠專攻標準型，台廠則是專攻利基型，主要客戶、產品應用不同，中國廠產能開出對台廠實際衝擊不大。
台廠接手大廠讓出的市場
近期台廠最大的產業利多來自原廠逐步退出DDR3市場並將部分產能轉往 CIS，將可逐步取得大廠的市佔。美光已停產部分DDR3，海力士將正式停產2Gb DDR3，三星去年四月通知客戶，2Gb DDR3將於明年底停產。
根據TrendForce分析，台廠利基型DRAM的終端應用如電視、消費類電子產品的需求於去年第四季明顯下滑，加上供應鏈缺料影響，導致客戶端拉貨力道趨緩，利基型DRAM報價跌幅約與標準型相當，影響台廠去年第四季營運表現。
華邦電營運將價量齊揚
針對DRAM產業去年底景氣下滑，台廠也都有其因應策略，南亞科將二○奈米產能在DDR4市況不佳時轉換去生產毛利較好的DDR3；華邦電持續將重心鎖定在利基的小容量產品，強化二五奈米及下一代二○奈米的研發；力積電則透過與客戶綁定長約的方式，提前部署今年的投片，並配合市況及毛利高低，在邏輯IC與記憶體產品間作產能調配。
其中，華邦電今年董事會核准289.9億元資本支出，較去年98.2億元增加近近二倍，將用於DRAM及Flash製程推進，同步推動高雄路竹廠第四季進入量產DRAM。管理層預計第三季將可小量產出與驗證、第四季進入一萬片滿產投片，明年第一季開始大量貢獻營收。依此計畫，預計明年DRAM投片量將增加40％，位元數成長估超過50％。若再加上DRAM產業將重啟漲價循環，華邦電營運將有望呈現價漲量增的榮景。
