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東聯走在半導體特化轉型的軌道上

2026/7/1

林修鋒

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隨著三奈米、二奈米等先進製程晶圓線路間距極窄、結構高低落差極大(如3D堆疊、 GAA架構)，製程中必須大量採用超臨界二氧化碳清洗工藝，以防止晶圓細微結構在清洗後因表面張力而倒塌。

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關鍵字：二氧化碳製程高純度東聯台灣

林修鋒

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