近一周(十二月十三日至十二月十九日)美國散戶情緒指數(圖一)，稍微較前一周極度悲觀情緒走出，看多者比例小幅回升四個百分點至二四．九％，看空者比例小減一．六個百分點至四七．三％，仍有近半數投資人看空後市。由於聯準會升息態度不如市場的鴿派，市場對於美國明年經濟展望轉為悲觀(開始有下半年將出現衰退的聲音)，加上美股崩跌止不住，近期情緒回升的速度及幅度恐有限。 觀察同期間的ETF資金流向(圖二)，隨情緒步出低點，前一周被反手調節的SPY(追蹤標普五百指數)獲得資金回補(部分買盤可能來自空單回補)，追蹤新興市場指數的IEMG又回到買超排行。相對地，追蹤金融指數的XLF及追蹤科技股指數的QQQ、VGT則分別擠進賣超排行前三名，剛好可以解釋為何道瓊及那斯達克指數十二月跌幅較十月美股修正時更大？資金持續高出美股 低進新興市場根據研究機構EPFR統計同期間基金資金流向顯示，全球股票型基金遭資金淨流出八三億美元(前一周淨流出三九○億美元)。其中，美國股票型基金資金淨流出四四億美元(前一周淨流出二七七億美元)，歐洲股票型基金為資金淨流出五四億美元(前一周淨流出四五億美元)，日本股票型基金則獲資金淨流入十七億美元(前一周淨流入二三億美元)，整體新興市場股票型基金獲資金淨流入四五億美元(前一周淨流入二億美元)，顯示在強勢美元周期可能結束下，資金高出美股、低進新興市場的轉換仍持續加速進行，也是近期新興市場股市跌勢較美股來得小的主要原因。 
另值得注意的是，雖然整體基金市場對美股調節力度大幅縮小，但同期間美股跌幅卻大幅擴大，顯示有其他更具市場影響力的資金賣壓加入調節行列，一旦跌勢遲遲無法扭轉，原先低接的ETF買盤，恐還會成為下一波賣壓，導致美股進入空頭修正的惡性循環中。在聯準會釋出暫緩升息訊息及中美貿易戰事改善之前，目前只能期待美股在短線連續急跌乖離季線幅度過大後，出現跌幅收斂的跌深反彈行情。屆時作帳行情近尾聲的投信，也剛好可以順勢進行結帳動作，避免以往常發生的多殺多。投信作帳行情近尾聲 操作轉向低基期高成長股故短線漲幅已大的投信鎖碼作帳股，可暫時先避開，操作較為積極的投資人則可選擇做空當中營運動能即將轉弱的個股。此時，股價基期仍低，營運成長趨勢卻相對明確的產業，應是多方操作較為安全的標的。受中美貿易戰衝擊，全球經濟成長動能趨緩將難以避免，企業資本支出、民眾消費支出都會跟著受到影響。為了維持營運動能，公司勢必會尋找可開源節流的解決方案。例如全球各車廠在車市銷售趨緩及柴油車造假醜聞持續發酵下，開始積極將資源轉向電動車開發，期待藉由新產品來開拓新營收動能來源。但首要的挑戰就是要先將電動車的售價降至消費者可接受的甜蜜點，而碳化矽(SiC)IGBT又降低電動車整車成本的關鍵，SiC IGBT自然也就成為各車廠追逐的戰略資源，相關個股的營運爆發成長自然是可以期待的。
氮化鎵為全球電信商 開源節流的關鍵材料 同樣邏輯，各國電信商藉由5G的高速傳輸能力，試圖從傳統的無限行動通訊跨足有線固網業務，來開拓新營收來源。自今(二○一八)年十月起美國電信商Verizon、AT&T陸續商轉的5G服務，並非市場所熟知的行動通訊，而是5G固定無線接入(Fixed Wireless Access, FWA)。5G FWA主要支援從基地台到用戶端設備(CPE)間的訊號傳輸，用戶可將CPE安裝在室內窗邊以接收5G基地台的訊號，是用來取代光纖固網接取的最後一哩路。電信商僅需花費傳統電纜及光纖到戶(Fiber To The Home，FTTH)設施的一小部份時間及成本，即可為家庭、公寓或企業提供數千兆(multi-gigabit)速度。開啟了之前只適用於衛星、光纖或電纜供應商的新市場。此外，FWA基礎設施的投資也具有直接延伸至提供5G行動接取的潛力，因此被電信商視為毫米波(mmWave)頻譜的首選應用。氮化鎵(GaN) PA、天線等射頻(RF)元件又是可降低5G FWA基地台成本的重要關鍵材料，因此可預期GaN也將會成為主宰5G發展的主要戰略資源，相關供應鏈未來營運表現也值得期待。根據Yole預測，二○一七年全球GaN RF市場規模約為三．八四億美元，二○二三年，GaN RF器件的市場規模將達十三億美元，約占3W以上的RF功率市場的四五％。5G FWA具取代光纖網路潛力 電信商資源投入更為積極北美的5G FWA服務第一階段將鎖定尚未有FTTH服務的地區進行布建，因偏遠地區有線光纖網路部署不易，初期布建與後期維修成本驚人，透過5G FWA不但可大幅降低布建成本，還可提供更高的傳輸速率。由於5G FWA是以小型基地台與路由器來實現點對點的訊號傳輸，故可省下昂貴的光纖網路布建，不同於4G小型基地台主要用於補足大基地台訊號覆蓋不足的區域，5G小型基地台瞄準的是建置在毫米波頻段上的通訊服務，同時因毫米波頻段頻寬波長特性的關係，天線尺寸將得以縮小，進而讓小型基地台的外觀尺寸可以做得十分小巧，更容易靈活布建在各種場所。另像古蹟等特定場所很不適合挖洞、挖馬路來進行光纖布建，FWA的成本效益將更加凸顯。除了北美之外，英國、澳洲及羅馬尼亞等國的電信商，也正在進行5G固定無線接入的相關試驗。台灣則因多數地區固網接取已相當完善，既有的固網、光纖用戶比率高，電信商無須利用5G FWA來完成最後一哩路。FWA基地台非氮化鎵不可FWA基地台面臨著一些RF設計挑戰，為了在分區基地台覆蓋範圍內提供所需的容量和足夠的室內穿透能力，基地台必須利用先進的主動相控陣列天線系統(AAS)。使用毫米波頻率時，相控陣列元件之間的閘格間距則變得非常小。為了最大程度地減少饋入損耗，務必將關鍵前端元件置於盡可能靠近輻射元件的位置。這有助於縮小功率放大器(PA)的佔位面積，同時將盡可能多的功能整合至單晶片或多晶片模組中。
要在如此小的面積內部署所有功能，需要使用基於矽鍺/矽(SiGe/Si)半導體技術的極小PA，以產生非常低的功率輸出；或使用高功率密度的半導體技術，如氮化鎵(GaN)，其功率密度是SiGe/Si的一百多倍。在FWA前端技術方面，相較於採用SiGe的解決方案，將SiGe波束形成與GaN前端結合在一起可使功耗降低一七％，同時讓成本減少九％。此外，陣列元件的數量可以減少到八分之一，昂貴的天線基板材料成本也相應地減少了八七％。此外，FWA前端採用GaN還能提供其它好處，像是更可靠(結溫極限較高)、減小系統的尺寸及複雜性。未來GaN供應鏈評價 有望優於5G產業均值國內GaN供應鏈方面，上游磊晶以嘉晶(3016)進度最快，目前已量產出貨六英吋GaN on Si磊晶(一百V~六百V)。全新(2455)積極研發GaN磊晶片，該磊晶片鎖定5G基地台PA應用，適用高頻段頻譜、散熱性佳且可高溫下操作，公司董事會已通過GaN生產線的投資計畫並開始進入GaN生產。環球晶(6488)同時具有矽基板相關技術與GaN磊晶技術，藉由六吋矽基板與GaN磊晶技術創新與垂直整合，除具有成本優勢外，也能增加技術能力與競爭力。晶圓代工方面，美國廠環宇-KY(4991)已提供四吋GaN on Si/GaN on SiC的高功率PA及電力電子器件代工服務。台積電與德商戴樂格（Dialog）等客戶合作，已開始提供六吋GaN晶圓代工服務。漢磊(3707)則自二○○九年開始提供六吋GaN on Si的晶圓代工服務。穩懋(3105)自二○一三年研發完成GaN製程，並開始提供六吋GaN on SiC的晶圓代工服務(5G PA及天線)。晶電(2448)藉由新分割成立子公司晶成半導體(持股一百％)，搶攻GaN on Si的專業代工商機，應用於功率元件。世界先進(5347)與設備材料廠Kyma、轉投資GaN矽基板廠QROMIS攜手合作，去年底已成功試產八吋GaN晶圓，今年將成為全球首家提供八吋GaN晶圓代工服務的業者。功率半導體封測廠捷敏-KY(6525)，也已增加GaN的產品封測服務。
