受全球經濟增長動能趨緩及成為中美貿易戰主戰場的波及，全球半導體產業歷經兩年的高度成長後(整體產值二○一七年年增二一．七％、二○一七年年增十．一％)，二○一九年前景似乎很難有樂觀的理由，但在AIOT(人工智慧＋物聯網)應用需求的帶動下，仍將出現不少新興的產業機會，逢低布局的投資機會也就此產生。尤其，台灣半導體整體產值又以邏輯IC為主，受記憶體產品報價走跌逆風的衝擊相對較小，出現逆勢成長的機會也相對較大。中美貿易戰持續延燒，中國恐將因美國禁止出口技術、設備，延長發展半導體產業的時程，對台廠而言也算是個一利多。產業景氣首季落底 庫存回補需求將現本波半導體景氣高峰出現在二○一八年第三季，隨後開始進入客戶提前拉貨的庫存調整期，加上中美貿易戰導致終端需求觀望、英特爾(Intel)處理器晶片缺貨又拖累相關周邊晶片的出貨，市場普遍認為庫存調整期恐延續至二○一九年上半年。不過，我們預期在庫存消化兩個季度及英特爾處理器晶片出貨改善下，二○一九年第二季就有提前落底回升的機會，第三季隨新品上市備貨帶動則將出現庫存回補需求，第四季又在二○一八年基期較低下有望交出較好的年成長成績，即二○一九年半導體產業營運有可能出現逐季走升的表現。
三大投資主軸 潛藏翻倍黑馬股我們認為制霸七奈米以下先進製程的台積電(2330)及其供應鏈、建構高效與功能強大物聯網解決方案的AI邊緣運算、提高效率並降低成本的寬能隙半導體(Wide-bandgap semiconductors)，將成為二○一九年台股半導體產業的三大投資主軸，當中應有機會出現股價翻倍的潛力黑馬股。先進製程與異質整合封裝已成為未來半導體製造發展的主軸，十奈米以下先進製程，因格羅方德(GlobalFoundries)宣布退出及英特爾卡關，只剩下台積電及三星有能力生產，包括蘋果、高通(Qualcomm)、超微(AMD)、NVIDIA、賽靈思(Xilinx)、海思、聯發科的訂單都集中在台積電，呈現一枝獨秀的狀況。除了穩穩的掌握七奈米訂單之外，台積電五奈米的製程也將在二○一九年第二季進入風險性量產的階段，成為進一步拉大與英特爾及三星差距的重要關鍵，一旦成功擺脫對手，在更多客戶訂單湧入的想像空間下，市場願意給予的股價評價自然就有向上調整的機會。除了製造之外，從應用角度上來觀察，由智慧化及聯網貫穿的各式應用，將是產業發展的主軸，AIoT的邊緣運算與雲端運算，可建構高效與功能強大的物聯網解決方案。穿戴、伺服器與車用等三類半導體是未來成長幅度最高的領域，這三者也都與AI的關係非常密切。邊緣運算平台技術成熟 成AI及5G發展先行基礎架構AI的進步會率先在邊緣運算中實現，過去AI仰賴強大的雲端運算能力，來進行數據分析與演算法運作，但隨著晶片能力提升、邊緣運算平台成熟，開始可賦予現場端裝置、閘道器擁有較為初階的AI能力，數據資料能在邊緣端便進行更快的篩選、分類、彙整、分析，並且利用這些數據資料來不斷修正與優化模型。如汽車自動煞車系統、工廠自動化設備即時示警、家庭智慧音箱都是邊緣運算的運用案例。邊緣運算對於5G也是重要布局，5G重視高傳輸、低延遲以及超大連接，相較於過去3G、4G時代，應用多元且網路需求差異極大的狀況將同時發生於5G網路上，因此5G必須擁有針對不同應用而有相對應的解決方案，邊緣運算便能提供行動用戶更低延遲、更佳網路品質，並讓電信商有機會推出更多創新服務。拓墣產業研究院預估，二○一八年至二○二二年全球邊緣運算相關市場規模的年複合成長率(CAGR)將超過三○％。
目前亞馬遜(Amazon)、微軟(Microsoft)、谷歌(Google)、百度、思科(Cisco)、安謀(ARM)、英特爾(Intel)、德國電信、西門子、Vodafone等全球網路服務商、半導體大廠、電信商暨設備商相繼推出與「邊緣運算」架構應用相關產品，積極搶攻龐大商機，等於認同在現有4G網路架構下，即可提供原本市場認為「非5G不可」的物聯網、車聯網、智慧製造、智慧能源等應用服務。各方湧向AI晶片 推升台積電先進代工製程需求伴隨越來越多樣、運算速度飛快的AI晶片，搭載於包含智慧型手機、穿戴式裝置、平板式電腦、擴增實境(AR)/虛擬實境(VR)，甚至是自動駕駛汽車、無人機、智慧機器人在內，區域型網路終端連網裝置的導入與應用，自然也就更有利於加快邊緣運算網路數據處理速度，同時也更有利於邊緣運算網路的應用加速普及。物聯網及雲端運算將創造更多的數位資料，工研院IEK預估在資料洪流的時代，每個人每天網路流量預計達到一．五GB、自駕車的網路流量將達四TB、無人機每日網路資料流量約五TB、每座智慧工廠每日網路流量五PB，平均每項影音串流日流量更高達七五○PB。
相較二○一六年一般消費者每日使用PC、手機、穿戴式裝置產生的數據僅六五○MB左右，未來處理器對於資料的運算力與運算量將是技術發展的重點。各大IC設計廠商在二○一八競相投入發展具備AI功能的晶片，不論是在智慧型手機或伺服器市場皆有相同跡象，甚至網通晶片廠商也開始導入AI功能，像是博通(Broadcom)和Wave Computing的合作就是集各家之長，希望提供網通設備廠商在網路流量的處理工作上能更加智慧化，進而提升整體系統的性價表現。根據 Statista 預估，全球AI 市場規模將從二○一八年的七三億美元成長到二○二五年的八九八億美元(二○一九年成長率為五四％)。預期在各方積極投入AI應用趨勢下，除了擴增全球AI市場規模外，同時也將連動增加對台積電高階、先進晶圓代工製程需求，並擴大對產業上下游相關供應鏈廠的訂單量。功率半導體第二次革命 寬能隙半導體材料成戰略資源以往半導體功率元件的基本材料，多半都以矽(Si)基材為主，也為產業傳統應用最普遍的半導體上游原材料。但近年來矽基材功率元件開始遭遇小型化、低耗能、高效能三大挑戰，造就新一代半導體材料開始受到產業的重視。寬能隙半導體代表了功率半導體的第二次革命，在效率提高、頻率上升的同時，成本卻可不斷下降。它們主要有碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)、砷化鎵(GaAS)、氧化鋅(ZnO)、金剛石、氮化鋁(AlN)，較為成熟的是碳化矽、氮化鎵，則被稱為寬能隙半導體材料雙雄。因SiC、GaN基材具備更佳的低電流阻抗(膜厚漂移層(drift diffusion)更可薄化，進一步降低電流阻抗值)、高電能轉換效率、耐高溫及低過熱風險(因為寬能隙)、耐高壓(因擊穿電場高)等運作(轉)優勢，結合動力模組的體積、重量同步縮減下，除有利電動車進一步延長單次充電後行駛距離，也間接有助於全球電動車市規模持續擴大。SiC目前已被產業公認為可有效解決能源效率問題的半導體原材料解決方案之一，如果與以Si基材為原材料所製成的絕緣閘極雙極性電晶體(IGBT)功率元件相比較，SiC基材功率元件，約可減少高達八五％的切換能源損失，成為各車廠及功率元件廠爭相競逐的稀缺戰略資源。根據市調機構Yole Developpement預估，全球SiC市場規模將從二○一七年的三．○二億美元成長至二○二三年的十三．九九億美元，年複合成長率為二九％。另一方面，GaN PA、天線等射頻(RF)元件又是可降低5G 基地台成本的重要關鍵材料，因此可預期GaN也將會成為主宰5G發展的主要戰略資源。根據Yole Developpement預估，全球GaN RF市場規模將從二○一七年的三．八四億美元成長至二○二三年的十三億美元，年複合成長率為二二．九％，約占3W以上的RF功率市場的四五％。
