美國制裁中國科技廠為美國供應商開後門，改變市場對華為禁令對半導體產業衝擊的預期，將有利增加資金回補半導體股的意願，甚至提前反映新禁令轉單利多的預期，給予族群股價一個落底向上的新契機！
九月十五日華為禁令正式生效後，AMD副總裁Forrest Norrod九月十九日舉行在德意志銀行技術會議上，暗示已獲得美國的華為禁令許可證能夠順利出貨，預期目前的情勢不會對業務產生重大影響。英特爾二十一日也證實，同樣獲得許可證，繼續推動與華為合作的華為筆電專案。
制裁大逆轉，只為分杯羹？
超微、英特爾主要都是供應華為筆電與伺服器相關零組件，並非美方打壓華為在5G相關領域的重點，加上全球筆電缺貨，此時封殺兩大CPU廠出貨華為，等於斷了美國廠搶錢的機會。此舉被市場視為川普大舉封殺華為的同時，也會顧及美企利益，若接下來傳出記憶體廠美光獲得許可也就不用太意外。
另一個制裁大逆轉則出現在二十日生效的TikTok和微信禁令，趕在最後一刻宣布將會通過和甲骨文、沃爾瑪合作的協議入股二○％，未來以成立獨立公司TikTok Global繼續在美國營運，川普對TikTok的態度更從「禁用」變成「祝福」。
不讓你製造，只准跟我買！
從近期美國對中國禁令的後續動作觀察，可明顯看出美國最終目的並非是要趕盡殺絕，而是想在中國所有商機中(中國市場或中國廠的海外市場)分一杯羹。尤其中國製造二○二五，全面衝刺半導體本土化，拉高自製率比重，等於是斷了美國半導體的財路。
為了扭轉這個趨勢，當然就是先制裁海思斷你IC設計能力，接著再斷你製造能力，可預期禁止半導體設備出貨給晶圓代工廠中芯的訊息可能並非空穴來風。有用到美國技術又想做中國生意，請先取得美國同意再說。但以目前發展來看，或許只剩美國廠可以取得許可，最終達到不讓中國製造，只准跟美國買的獨享中國商機目標。
一旦中芯成制裁對象，中國半導體製造發展較快的記憶體廠，或許就可能成為潛在制裁對象，畢竟從過去經驗可知，只要中國政府資金強力介入的產業，最後都會被產能過剩、價格破壞的紅軍，殺得血流成河。為了避免悲劇再次發生，早早掐住脖子，限制產能瘋狂擴充，也是保護美國廠利益的可能手段。
由於中國NAND Flash龍頭廠長江存儲、DRAM龍頭廠合肥長鑫存儲及NOR Flash龍頭廠兆易創新，均可見到中國政府資金扶植的影子，美國真想制裁，不怕找不到理由。
NAND Flash技術 競爭威脅與日俱增
被視為中國半導體產業最成功的代表廠商之一的長江存儲，在二○一八年研發出三二層3D NAND Flash，近年來採Xtacking架構加速推進製程腳步，在二○一九年進入六四層技術量產，二○二○年四月宣布研發成功一二八層QLC 3D NAND Flash，年底投產。相較美國廠美光及英特爾今年量產的一二八層及一四四層3D NAND Flash，長江存儲技術差距已不大，競爭威脅與日俱增。
長江存儲一期廠房規模產能為每月十萬片，但根據業界表示，今年下半年月產能僅約二萬片，隨著良率改善與需求提升，預計要到二○二一年下半才會跳至五萬片。長江存儲二期廠房則計劃每月產能為二○萬片。
中國設備本土化 添補供給缺口可靠台廠
有了前車之鑑，中國半導體製造廠似乎已開始防患於未然，正積極減少仰賴美國製造設備，長江存儲從五月起逐月調高採用國產半導體設備及耗材比率，並傳出來自國內供應商設備比率要從現行的三○％提高到七○％，並預期中美衝突將進一步升級，已提前預訂二○二一年產線擴張的設備。
根據中國業界統計，長江存儲在截至七月初累計釋出二○四八台設備訂單，國產設備約二九○台，本土化比率一四％，包括蝕刻、化學機械研磨、退火、薄膜沉積設備等。長江存儲聯席副總裁鄭久利表示，目前八○％以上製造設備均來自美國及日本，本土製造設備仍無法替代對進口設備的依賴。不過，相較於晶圓代工，目前3D NAND Flash還用不到十奈米以下製程，對設備廠導入的技術門檻也相對較低，此塊去美化缺口將會是台灣設備廠的機會。
大陸DRAM製程 仍落後兩個世代
合肥長鑫存儲二○一九年量產一九奈米製程DRAM，為中國首發自製DRAM，具有自主化的指標性意義，一廠月產能規模二萬片，二○二○年底前擴充至七萬片，預計二○二一年推進一七奈米技術平台。相較美光目前量產的1z 奈米製程DRAM，使用一二至一四奈米製程，合肥長鑫製程仍落後兩代。
為因應未來分期推動的十二吋廠本土化，合肥長鑫二○二○年六月與中國半導體材料廠蘇州瑞紅、寧波江豐及上海新昇半導體共同簽約，將供應關鍵微影膠、化學試劑及半導體材料等，以支持合肥長鑫的十二吋廠建廠計畫，本土化及去美化的過程中同樣需要台廠的支援。
NOR Flash可說是中國發展最快的記憶體產品，龍頭兆易創新在全球市佔率更已擠下美國的賽普拉斯(Cypress)，拿下全球第三名。由於中芯有幫兆易創新代工NOR Flash，一旦美國對中芯開鍘，兆易創新就有可能成為最先被禁令影響的記憶體廠。
門檻低的NOR Flash 中國已坐上老三
可預期的是，若美國出手限制美國設備出口給中國記憶體廠，砸大錢瘋狂擴充產能、追趕領導廠製程，實現本土化並搶攻全球市佔的大夢，恐怕就會被迫再等等。隨著中國產能擴充受限，未來市場持續供需失衡出現紅海的機率自然降低，保住記憶體價格也就保住美國廠的獲利。
另一方面，非中國客戶為避免訂單受影響，也會將原先下給中國廠的訂單轉向非中國廠，例如目前已傳出兆易創新NOR Flash終端客戶已開始轉單至華邦電、旺宏、賽普拉斯等前三大供應商，美國廠的訂單也會因此增加，成為禁令預期的受惠者。
反觀記憶體市場現況，負面雜音仍多，庫存水位高、終端需求不明等等。
記憶體現況雜音多
DRAM方面，因server DRAM領域獲利能力最佳，吸引供應商持續投入，結果導致供給量不斷增加，第三季起買方因生產動能放緩、DRAM庫存量已超過健康水位及預期跌價心理，購買意願降低，server DRAM出現供過於求，TrendForce研判第四季server DRAM價格季跌幅將由原先預估一○～一五％，擴大至一三～一八％。
記憶體市場寄予厚望的科技新品5G手機，是推動Mobile DRAM往八GB、十二GB容量升級及NAND Flash往一二八GB以上容量提升的關鍵，也是消耗市場位元數的重要需求來源。近期中國外的市場受肺炎疫情影響，5G手機銷售明顯不如預期，導致廠商庫存增加，接下來就看中國市場的低價策略，能否把民眾的換機需求逼出來。
華邦電(2344)總經理陳沛銘表示，整體NAND Flash市況是否回升？關鍵並非在第四季中國廠開出多少新的NAND Flash產能，市場需求強弱，才是真正的重點。
股價利空不跌 出現落底訊號！
手機、遊戲機及電視等消費性電子，都將是推升第四季NAND Flash的主要需求動能，尤其任天堂Switch遊戲機已傳出熱銷、索尼新款遊戲PS5也將在十一月上市。群聯(8299)董事長潘健成則預期，今年第四季至二○二一年第一季，NAND Flash市場將面臨供過於求情況。
雖說目前產業利空不斷，但觀察DRAM、NAND Flash及NOR Flash指標廠海力士、美光、南亞科(2408)、旺宏(2337)、華邦電等近期股價表現，卻可見到利空不跌的表現，顯示波段低點已過的機率頗高，若資金提前卡位反映市場供需將於明年上半年改善的預期(中國禁令則是更加確保長期的供需改善)，股價就有望提前步出谷底，發展成新一波多頭循環。
