摩爾定律是英特爾(Intel)創辦人之一戈登．摩爾(Gordon Moore)在一九六五年提出，其內容為IC電路上可容納元件的數量，每隔十八至二十四個月就會增加一倍，性能也將提升一倍。半個世紀以來，摩爾定律準確地預測了半導體產業的發展趨勢。
由於電晶體裡的原子數量越變越少、科技漸漸走進量子層級，專家預測摩爾定律將會發生物理極限，因此「摩爾定律已死」聲音甚囂塵上。
製程微縮、立體封裝、新材料都有機會延伸摩爾定律。在微縮製程方面，由於摩爾定律牽涉到電晶體的密度，高解析度的EUV曝光技術成為一個解方，3D先進封裝技術也可延伸摩爾定律的應用。台積電、英特爾、三星均超前部署3D封裝技術。
由於矽材料面臨功能表現的瓶頸，高功率、低耗電、耐高溫的半導體材料的開發蔚為趨勢，碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)等第三代寬能隙半導體紛紛浮出市面。
