封關前市場買盤轉趨保守，不過，一月二十九日晚間蘋果第一季營收財報符合預期，盤後樂漲六％，處理器大廠AMD第四季度利潤超越分析師預期，今年前景展望看佳，盤後股價上漲，一掃Intel及Nvidia等財測不如預期之陰霾，加上美國聯準會心態偏鴿，美中新一回合高層級貿易談判可望取得重大突破與進展，以及內外資力挺偏多不變，在在顯示後市行情仍不容小覷！美中雙方在保護智財權、中方不再強迫組建合資企業，以及確保協議執行效率等三大議題仍存有歧見，有待協商解決。不過，隨著中方釋出更大的讓步，據傳中國已對美提出「六年超過一兆美元的採購大禮包(約台幣三十兆)」，預計美中逆差於二○二四年減少到零，且加速催生外商投資專法，預期可望取得重大突破與進展。就類股與個股架構來看，蘋概、矽晶圓及被動元件等族群表現持穩，許多中小型轉機成長股持續活蹦亂跳甚至大漲創新高，加上內外資力挺偏多，且十日線、月線及季線等持續震盪走揚，不排除年後開紅盤指數將有續探上方缺口一○四二八點或年線約一○五○○點機會可期。【個股推薦】嘉晶(3016)產品包括四至八吋磊晶，應用市場主要為分離式元件及晶圓代工。主要利基題材有：(1)業績表現亮眼：二○一八年前三季EPS達一．二四元，較前年同期大幅成長近二倍，全年營收達四五．二四億元，年增三五．三三％，優於市場預期。受惠MOSFET及IGBT等功率元件強勁需求、報價調漲、國際IDM大廠擴大委外代工，以及Infineon、安森美、德儀等提前卡位因應電動車及自駕車、5G高速通訊、人工智慧及高效能運算(AI/HPC)等新應用領域的第三代半導體關鍵材料碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN)市場，由於嘉晶及漢磊已投入GaN及SiC矽晶圓及晶圓代工技術多年，相關商機可望大爆發。(2)嘉晶為國內唯一同時提供碳化矽、氮化鎵兩種磊晶製程廠商：由於碳化矽於一千二百伏特以上的高壓背景環境，具十分顯著的應用優勢，並可大大減少高達八五％的切換能源損失，非常適合運用於電動車、高鐵、超高壓直流輸送電、工業電機、智能電網、航空航太等高壓電力(高功率)應用領域。氮化鎵則主要應用於六百至一千伏特工作電壓區間。對應SiC、GaN基材材料特性所發展出的功率半導體晶片，如：MOSFET(金屬氧化物半導體場效電晶體)、IGBT(絕緣柵雙極電晶體)等，於產業界、市場發展功率半導體應用時，亦將因基材特性提升、導入應用效果優化，超越以往因矽基材性能較低造成的應用限制。因SiC、GaN基材具備更佳的低電流阻抗、高電能轉換效率、耐高溫及低過熱風險(因為寬能隙)、耐高壓(因擊穿電場高)等運作優勢，結合動力模組的體積、重量同步縮減，除有利電動車進一步延長「單次充電後行駛距離」，亦間接有助於全球電動車市規模持續擴大。(3)營運前景看俏：根據券商報告表示，預估未來五年碳化矽與氮化鎵功率元件與模組年複合成長率為二一％、八三％，嘉晶除了四吋SiC碳化矽、六吋氮化鎵已正式出貨外，將更進一步導入六吋碳化矽磊晶製程。【操作建議】低接不追高，隨著營運前景看俏，法人力挺偏多不變，券資比攀升(截至一月二十九日，融券餘額四九三九張，券資比達四二．八八％)，以及雙軋行情啟動，隨著成交量逐步遞增，後市只要能守穩十日線及月線不破，以及「控盤指標」及「攻擊力道」可雙雙維持翻紅轉強態勢，仍可望有強彈續漲機會可期(※基本面資料若有異動，依公開資訊觀測站最新訊息為主)。基於風險考量，請設好停損停利(詳見附圖說明)。
