由於受惠於市場供給端廠商庫存水位持續下降，以及市場需求數量不斷擴增，因此促成現階段 DRAM現貨價已經見到「止跌回漲」情況，外資法人也因此出具最新投資研究報告指出，針對台灣記憶體DRAM大廠南亞科(2408)給予「買進」投資評等，而上檔目標價更上看至每股八十一元。製造廠供給庫存續降需求增 DRAM現貨價已見止跌回漲根據TrendForce記憶體儲存研究(DRAMeXchange)調查顯示，因目前各家DRAM供貨廠商庫存數量仍舊下跌，加以資料中心(Data Center)建置、拉貨需求仍持續強勁，且明(二○二○)年第一季全球包含中國在內的5G手機市場，對於搭載DRAM的需求數量不斷擴增下，近期三個月來連續走跌的DRAM現貨價格，已經開始觸底反彈。其中，DDR4 8G(1Gx8)2400 Mbps產品更上漲了二．八八％，DDR3 4Gb 512Mx8 eTT 產品亦走揚一．○四％漲幅，顯示DRAM市場已自先前的報價連續下跌窘況走出，開始反彈，已經嗅到回溫氣息。根據外資研究報告指出，明年於5G智慧型手機、資料中心等應用需求數量同步提升下，品牌廠、代工廠因此開始擴大對DRAM的採購力道。其中，5G智慧型手機方面，因旗艦型機種將搭載六GB至十二GB DRAM，與4G高階旗艦款手機相較，所搭載三GB至六GB DRAM的規格，明顯要擴增許多，市場對DRAM需求量因此開始增加。除了市場需求端拉貨數量提升之外，外資報告進一步點出，南韓的全球記憶體龍頭廠「三星電子」，目前於DRAM量產製程方面，已開始導入「1z奈米」級製程，除了透過記憶體IC晶圓製程的不斷微縮，期盼可因此擴增「單位生產量」之外，推先至第三代一○奈米級的1z奈米級製程後，由於後續的製程進一步微縮空間已逐漸減少下，因此造成製程升級的「成本效益」開始遞減。
另一方面，三星電子亦已開始導入EUV(極紫外光)製程，進行DRAM試產、量產作業，因為生產成本大幅提高下，因而形成產業的「高進入門檻」，也因此限制了全球DRAM供給端，未來的擴產增幅，因而導致市場需求端預期，後續DRAM供貨量，將維持於一定數量水準，購買、拉貨廠商將因此難以大量收得貨源，也因為這樣子，而形成市場上對價格的預期上揚，對整體DRAM產業而言，也是較為健康的發展。智慧型手機與伺服器用記憶體 二○二○年需求成長率最高全球DRAM市場需求面部分，明年需求量年增幅度約一七．五○％，不同應用終端中，成長幅度最大者，以智慧型手機、伺服器市場為主。主要因為每一支智慧型手機、每一臺伺服器，所內建搭載的記憶體平均容量正不斷提升。以智慧型手機而言，明年5G手機開始陸續上市後，每支手機平均DRAM搭載容量自原先的三．七六GB，增加至四．二五GB，年增率達一三％；伺服器用記憶體，亦自三○三GB，大幅提升至三九六GB，年成長率高達三○．九○％。
研調機構預估，全球DRAM市場明年需求量，約七二八六二M(約為二GB)。其中，行動式記憶體占比達三九．六○％、伺服器記憶體則占三四．九○％比重、PC占比一二．六○％、消費性電子裝置合計占七．八○％比重、繪圖用記憶體則占比五．一○％。由此可清楚看出，影響全球DRAM市場需求量高低變化最大者為：伺服器、行動式記憶體。其中，伺服器市況於歷經今年一整年，肇因於英特爾CPU缺貨，以及客戶持續壓低庫存影響而不振後，預料二○二○年將可重啟需求成長動能。DRAM供給成長率 二○二○年低於二○一九年根據市場研調機構TrendForce預估，明年全球DRAM供給量年成長比率約為一二．二○％，較今年的一九％水準為低。供給面成長增幅最大者，為伺服器用記憶體，預估年增率可高達二○％增幅。其他包括PC/NB用記憶體、繪圖用記憶體、行動裝置用記憶體等，明年供給量成長增幅約七～九％水準。
由於近二年全球市場需求明顯放緩，因此造成主要記憶體製造廠商，大多先後削減今年0°明年資本支出預算，減少所投入生產設備、記憶體晶圓產能的擴產數量，如SK海力士自今年第四季起，將調降DRAM產能，今年Nand Flash記憶體晶片投產量，減幅亦將自原先的一○％，進一步修正至縮減一五％。同時，也會重新檢視位於南韓的二座晶圓廠擴產時間。美光(Micron)除維持原本DRAM產能減產五％計畫之外，也將擴大Nand Flash產能減產規模至一○％。明年廠商大多投注較多資源於記憶體IC晶圓製程的推進計畫，甚至不乏有原有產能調整作為更加「激進」的例子，全球DRAM龍頭廠「三星電子」、二當家「SK海力士」，將相繼調整DRAM部分生產線，轉換至以生產「CMOS影像感測器(CMOS Image sensor，CIS)」為主的產能，進一步縮減DRAM產能規模。記憶體市場供需將反轉 明年報價可望止跌回升全球記憶體市況，由Nand Flash首先發難，自二○一七年下半年開始，截至今年上半年為止，一路持續下滑走疲，客戶拉貨動作明顯縮手下，市場產品報價因此不斷下跌。然而，於下游客戶進行庫存調整已達一段時間，且上游製造廠商節制擴產計畫及規模，同時進一步縮減相關資本支出下，伴隨著終端市場5G、AI、車用、物聯網等新應用型態需求的接連興起，預估全球記憶體需求位元量，有機會自明年成長，成長增速有望高過於供給位元量成長動能。以DRAM而言，有機會於明年上半年度即可見到「供給平衡」，到了下半年，不排除會出現「供給吃緊」情況，市場報價可望重回漲價循環。
台灣記憶體大廠華邦電(2344)董事長焦佑鈞，先前於十二月六日曾對外表示，整體記憶體市況已見到「止跌回穩」，市場景氣走勢接下來，預估將朝「穩定」發展前進。台灣記憶體通路指標大廠威剛(3260)董事長陳立白也指出，DRAM目前「合約價」低點已經浮現，現貨價未來也可望持穩發展向上。同時，今年上游DRAM顆粒供應廠商，資本支出金額相對保守之下，勢必因此影響明年全球DRAM市場供給數量。在台灣記憶體相關供應鏈廠商中，DRAM製造廠包括華邦電(2344)、南亞科(2408)，預估將可望伴隨記憶體價格走揚而受惠。模組廠、記憶體IC上下游廠商則有創見(2451)、威剛(3260)、廣穎(4973)、宜鼎(5289)、力成(6239)、品安(8088)、華東(8110)、宇瞻(8271)、商丞(8277)、群聯(8299)等，於市場記憶體價格止穩、小漲之下，下游記憶體通路商備貨意願因此提高，整體需求量也可望優於今年上半年「溫水煮青蛙」市況。
Nand Flash市場需求提升 SSD成應用面主要推升動能 另外，今年市場報價較早落底的NAND Flash部分，市場需求已明顯升溫。同時，上游供應廠商庫存水位調節也已告一段落之下，可望更加確立NAND Flash價格未來穩健向上格局。Nand Flash應用市場部分，預估明年仍將以固態硬碟(SSD)為主要成長動能之一，預計入門級產品容量，將自二四○GB、二五六GB起跳；由於SSD市場價格與先前明顯「高貴」相較之下，已大幅下跌，預料SSD後續市場普及率、規格容量，將有機會較今年倍增成長。同時，也因為發現市場報價已開始回溫、上漲，SSD近期下游應用客戶如PC/NB、伺服器品牌及代工廠等，對SSD拉貨需求力道強勁，甚至傳出SSD代工大廠已經開始暫停接單(如同先前的半導體矽晶圓、被動元件、MOSFET熱市時的景象)，以及時、充分反映來自於NAND Flash漲價的成本上漲壓力，因此使得整體市況逐漸趨向健康發展格局，同樣有利於台廠NAND Flash相關產業上下游供應鏈廠華邦電、創見、威剛、廣穎、宜鼎、力成、品安、宇瞻、商丞、群聯等後市。布局記憶體股不追高 待拉回均線量縮在進場惟目前台股記憶體相關族群股中，已有多檔個股近期的股價，漲勢強勁、走出明顯波段，股價亦已來到已充分反映現貨價格彈漲及後市基本面利多合理價位，投資人如有意於此時介入此類型個股操作時，須留意它們的股價因為短線相對漲多後，所可能伴隨而來的風險，宜審慎衡量進場時點，以免承受進場後卻遭套住的投資風險。同時，就整體產業基本面後市分析而言，由於三星電子位於韓國的平澤廠目前DRAM產能利用率並未拉高至一○○％，且據產業界人士指出，三星電子考量記憶晶片市場價格已見回穩，庫存水位也已明顯降低，因此開始下單採購將安裝於南韓平澤DRAM廠、中國西安NAND Flash廠的記憶體生產設備。另外，中國紫光集團旗下「長江存儲」，已開始量產「Xtacking架構」六四層二五六GB TLC 3D NAND Flash晶片，目前正積極衝刺第一期規劃多達約十萬片月產能規模，順利加快投片速度、增加產出數量，二者後市是否會因此造成整體記憶體市場升高「供給增加」壓力，可能不利於市場報價走揚的利空變數，現階段值得持續觀察追蹤。因此，後續宜待市場情緒降溫、回復冷靜，股價拉回一定修正幅度，回檔至股價中長期均價線位置時，才有可能會是較為合適、有機會成功把握住，中長線基本面利多所帶來的投資獲益的進場點位。
