為什麼碳化矽、氮化鎵被稱為「寬能隙半導體」，因為它的能隙( bandgap)是 Si的三倍多，崩潰電場是 Si十倍多，能隙決定了半導體的崩潰電場，就是能承受住多大的電壓，能隙越寬，越能耐高電壓、高電流、高能源轉換效率，矽的能隙寬約是1。17 eV， SiC的能隙寬為3。26 eV， GaN為3。5 eV。
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